SK하이닉스, HBM4E에 TSMC 3나노 적용…삼성 추격 차단 (sedaily.com)
- 핵심 협력 구조: SK하이닉스, 차세대 HBM4E 베이스 다이에 TSMC 3나노 공정 적용, 6세대 1c DRAM과 결합해 전성비 삼성 추월 목표
- TSMC 최근 실적 발표 "3나노 베이스 다이 전력효율 기존 대비 2배"
- 일정: HBM4 인증 지연 후 베이스 다이 리디자인 완료, 하반기 양산 준비, HBM4E는 내년 본격 양산 목표
- 구조적 약점
- 한국-대만 거리로 샘플 교환 약 3일 소요, 삼성은 국내 생산 근접으로 실시간 협업 가능
- TSMC 3나노 CAPA 제약이 내년까지 지속 가능성
- 의의: HBM 경쟁 재편 가속, 삼성은 즉시성·수직계열화, SK-TSMC 동맹은 공정 선단성으로 대응 구도 강화