SK하이닉스 HBM4E, TSMC 3나노 적용…삼성 추월 시도 (sedaily.com)
- HBM4E 동맹 강화: SK하이닉스, TSMC와 7세대 HBM 공동 개발 가속
- 목적: HBM 시장에서 삼성전자 추격 차단
- 기술 전략
- 베이스 다이: TSMC 3나노 공정 적용 ("데이터 흐름 제어탑" 역할)
- 코어 다이(메모리 저장층): 자체 1c(6세대 DRAM) 공정
- 3나노 베이스다이 전력 효율, 기존 공정 대비 2배
- 양산 일정
- 삼성: 2026년 2월 HBM4 세계 최초 양산 개시 (선행 우위)
- SK하이닉스: 베이스다이 재설계 후 2026년 하반기 HBM4 출하
- HBM4E: 2027년 양산 목표
- 경쟁 우위 vs 약점
- 우위: 전력효율·성능비 삼성 대비 우수
- 약점: SK-TSMC 간 샘플 교환 3일 소요(삼성 내부 실시간 대비 불리), TSMC 3나노 캐파 부족이 2027년까지 지속 전망
- 시사점: HBM 주도권 다툼이 파운드리 동맹 구조로 재편, 국내 반도체 생태계 공급망 재편 가속